为降低熔石英元件的损伤密度,本文提出了磁流变抛光与HF酸刻蚀组合工艺降低杂质元素含量的方法。对熔石英样品进行磁流变抛光和HF酸刻蚀,测试表面的杂质元素相对含量以及355nm激光辐照下的损伤密度。磁流变抛光后,熔石英元件表面的Ce元素相对含量由2694当量降至10当量以下,但Fe元素相对含量由376.2当量上升至4333当量,8J/cm2通量下损伤密度由0.49个/mm2增大为0.90个/mm2;磁流变抛光与HF酸刻蚀后,Fe元素相对含量下降至1951当量,损伤密度为0.042个/mm2。实验结果表明,磁流变抛光可以去除前级加工引入的Ce元素,但是会引入Fe元素,导致损伤密度上升。HF酸刻蚀可以有效降低杂质元素含量,降低损伤密度。