采用脉冲磁控溅射法在高纯石英基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜对石英基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺参数条件对以石英玻璃作基底制备的ITO薄膜的光电性能的影响。结果表明,在以石英为基底的氧化铟锡透明导电膜,在气压0.7Pa、溅射功率45 W条件下,基片温度为300℃,溅射时间为45min时,可见光透过率达83%,方块电阻达到5Ω左右。