该文在振荡器Leeson模型的基础上分析了有载品质因数(Q_L)对振荡器相位噪声的影响,且通过分析Colpitts振荡电路得到了其Q_L的表达式,明确了Q_L与电路参数的精确关系。并用安捷伦ADS软件对50 MHz Colpitts晶体振荡器的相位噪声进行了仿真,根据仿真结果在提高Q_L的基础上设计了一晶体振荡器样机,样机采用AT切三次泛音、49U电阻焊封装的晶体谐振器,其无载品质因数(Q_0)为1.45×10~5。经测试得到其相位噪声指标优于-107dBc/Hz@10Hz、-134dBc/Hz@100Hz和-152dBc/Hz@1kHz。实验结果表明,基于提高Q_L设计低相噪晶体振荡器的方法是可行的。