氧化石墨烯环境下C-S-H生成分子动力学研究

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单位沈阳建筑大学土木工程学院;沈阳建筑大学材料科学与工程学院;
来源沈阳建筑大学学报(自然科学版)
出版年2021
期号05
摘要
目的研究氧化石墨烯(GO)对水化硅酸钙(C-S-H)早期生长的影响机理,比较有无GO环境下C-S-H的结构差异。方法采用反应分子动力学,利用氧化硅溶胶凝胶合成过程的硅链结构聚合反应,模拟在4 nm GO纳米狭缝中C-S-H的生成过程,分析体系内C-S-H结构演变、径向分布函数、化学组分及Q_n单元的分布。结果 GO体系内,钙、硅离子分布出现富集区,硅原子与桥位氧原子键连单元比例增加,Q_3、Q_4等高聚合度单元数量大幅提高。结论 GO的位阻效应以及含氧基团的离子吸附作用,降低了C-S-H的聚合势垒,提高了C-S-H的聚合度。

@ 2023 版权所有 中国地质图书馆 (中国地质调查局地学文献中心)

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