提出了一种垂直堆垛异质结阵列构筑的实验方法,有望实现二维垂直异质结的宏量制备。该方法首先利用光刻技术形成Pt/Ti金属阵列的诱导作用,使用化学气相沉积法生长二维WS_2晶体阵列,然后用热剥离转移法将WS_2晶体阵列整体转移到石墨烯连续膜上,形成垂直堆垛的WS_2/石墨烯异质结阵列。扫描电子显微镜测试显示WS_2晶体围绕金属点生长,透射电子显微镜证实生长的WS_2晶体具有良好的结晶性能。对通过转移方法形成的异质结样品使用Raman光谱测试发现WS_2晶体被成功地转移在石墨烯膜上。