低结晶度NiMn_2O_4/还原氧化石墨烯复合材料的制备及其超级电容性能

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单位辽宁工程技术大学材料科学与工程学院;
来源硅酸盐学报
出版年2021
期号03
摘要
采用溶剂热法制备了NiMn_2O_4/还原氧化石墨烯(NiMn_2O_4/r GO)复合材料,并对表面形貌、微观结构和电化学性能进行了表征和测试。结果表明:低结晶度的NiMn_2O_4以丝绒状均匀地沉积在rGO纳米片上,几乎没有r GO裸露在外,NiMn_2O_4纳米颗粒间的聚集现象消失;同时NiMn_2O_4的覆盖也有效地阻止了石墨烯层之间的团聚。由于其独特的结构,NiMn_2O_4/r GO具有较大的比表面积和良好的导电性。在1 A·g~(–1)时的比电容是1 675 F·g~(–1)。在5 A·g~(–1)时,经过2 000个充放电循环后,NiMn_2O_4/r GO的比电容保持率为91%。

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