基于密度泛函理论,研究了二硫化钼/石墨烯(MoS_2/Gr)异质结及在异质结表面进行氢化后的结构稳定性、电子性能及光学性质;建立MoS_2/Gr异质结结构模型,计算了氢化后的异质结的能带结构、态密度及光吸收系数。研究发现:MoS_2/Gr异质结能带的带隙只有0.055eV,无法用于电子器件;在异质结上表面或在异质结上下表面进行氢化,都可以改变异质结的能带。尤其是在异质结石墨烯的上表面添加8个氢原子后带隙变为1.076eV;MoS_2/Gr异质结及其表面进行氢化后的光吸收峰均在220nm左右的紫外光区,且在对异质结进行表面氢化后提高了对可见光的吸收率。总之,在MoS_2/Gr异质结表面进行氢化的方法可对MoS_2/Gr异质结的带隙进行调控,并且可以提高其对可见光的利用,这为石墨烯基二维材料的应用提供了新的途径。