基于层状硒化锡/石墨烯材料的低功耗忆阻器件(英文)

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作者王宏 ; 于天奇 ; 赵建辉 ; 王淑芳 ; 闫小兵
单位Key Laboratory of Brain-like Neuromorphic Devices and Systems of Hebei Province, Key Laboratory of Optoelectronic Information Materials of Hebei Province, Hebei University;Department of Materials Science and Engineering, National University of Singapore;
来源Science China(Materials)
出版年2021
期号08
摘要
在外部刺激下具有电导可调功能的新兴两端忆阻器被认为在记忆和电子突触功能方面颇具潜力.但是,目前忆阻器的稳定性、均匀性和功耗在神经形态计算中仍然具有一定挑战性.本文中,我们利用具有高导热性的层状二维石墨烯制造了Au/SnSe/石墨烯/SiO_2/Si忆阻器.该器件不仅具有压倒性的电性能(高稳定性、均匀性和R_(OFF)/R_(ON)比),而且还可以实现生物突触功能,例如双脉冲促进、短期可塑性和长期可塑性.其开关功率值分别可降低至16.7和2.3 nW.同时,高分辨透射电子显微镜图证实了该器件的电阻转换机制,可能归因于由锡空位组成的丝状导电路径的形成和破裂.该设备有望应用于高密度存储和低功率神经形态计算领域.

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