本文研究了不同周期长度的G/H-BN超晶格纳米带在不同缺陷下的力学性能。在G/H-BN超晶格纳米结构中,通过离子辐照产生了菱形和方形两种缺陷。研究和讨论了纳米孔面积(菱形和方形)、周期长度Lp、空位缺陷数以及不同位置空位缺陷对G/H-BN超晶格纳米带力学性能的影响。结果表明,G/H-BN超晶格纳米结构的破坏强度和应变对缺陷和纳米孔更为敏感。然而,其杨氏模量没有类似的趋势。此外,在G/H-BN超晶格纳米结构中,具有几何缺陷的氮化硼区域的力学性能小于具有几何纳米孔的石墨烯部分。显然,如果超晶格结构产生一系列纳米孔,这些纳米孔应该在石墨烯部分,而不是尽可能多地在氮化硼区域。最终,随着缺陷密度的增加,G/H-BN超晶格纳米结构具有更强的韧性。同时,对纳米孔存在时超晶格纳米结构的力学性能、量子化能带结构与光电性能的关系提供了指导。