熔融盐法制备CuCl_2-石墨层间化合物及形成机理摘要
通过熔融盐法制备CuCl_2插层的石墨层间化合物(CuCl_2-GICs),探讨了加热时间、反应物配比对CuCl_2-GIC产物的阶结构、表面形貌及导电性的影响.结果表明,产物含有主阶为1阶的混阶石墨层间化合物和一定量的石墨;延长反应时间有助于增强插层效果;反应物配比对产物的阶结构组成影响较小.插层后的石墨发生了膨胀,在片层的边缘分布着较多的CuCl_2颗粒;制备的CuCl_2-GICs中CuCl_2为非化学计量比,其中[Cl~-]离子不足.CuCl_2-GICs的电导率较石墨原料有所提升,最大提升80%.
|
@ 2023 版权所有 中国地质图书馆 (中国地质调查局地学文献中心)
京ICP备 05064591号 京公网安备11010802017129号
建议浏览器: 火狐、谷歌、微软 Edge、不支持 IE