基于缺陷的碳纳米结构工程正在成为改变石墨烯纳米带FET中电子传输性质的重要且有效的方法。本文研究了ISTW缺陷的位置和对称性对低维9NR双栅石墨烯纳米带FET(DG-GNRFET)性能的影响。分析透射光谱和态密度和电流-电压特性表明,对电子传输的缺陷影响根据ISTW缺陷在沟道长度中的位置和取向(对称和非对称配置)而显着变化。基于该结果,非对称ISTW缺陷导致栅极电压对漏极电流的可控性更强,并且漏极电流增加超过5倍。结果还证实了ISTW在控制DG-AGNR FET的沟道电流方面的缺陷工程潜力。