石墨烯是一种零带隙的半导体材料,具有很高的电子迁移率。另外,石墨烯具有单层碳原子的二维结构,这种结构在理论上具有非常大的场增强因子,其场发射能力原理上可大于单壁碳纳米管。因此,石墨烯作为场发射材料引起了研究者广泛关注。研究热点主要集中在:生产具有利于场发射的石墨烯结构;构建具有良好电子传输性能的带石墨烯的复合阴极材料;改善石墨烯电子传输能力的场发射器件结构。