升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响摘要
本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由"倒温度差"区间的温度、持续时间和"倒温度差"绝对值综合决定。在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间;中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料"倒温度差"区间内温度值变小且减缓反应;同时还使"倒温度差"绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运。同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果。
|
@ 2023 版权所有 中国地质图书馆 (中国地质调查局地学文献中心)
京ICP备 05064591号 京公网安备11010802017129号
建议浏览器: 火狐、谷歌、微软 Edge、不支持 IE