石墨烯是一种由sp2杂化碳原子组成的具有蜂窝状结构的二维原子晶体,其一系列优异的电学、光学和力学等特性,使得它在各领域都有广泛的应用前景,而大面积高质量石墨烯的制备则是各类应用的前提.金属基底上的催化生长方法是目前制备高质量石墨烯的主流技术.系统地阐释了金属基底上石墨烯催化生长中的偏析现象以及我们发展的通过调控偏析过程来实现石墨烯控制生长的基本方法.这些方法包括:偏析生长法、共偏析法、Cu-Ni合金偏析法、互补性二元合金催化法等.我们的工作表明,偏析是金属表面石墨烯生长过程中无法回避的、同时也可以积极利用的一个关键基元步骤.对偏析现象及其调控方法的研究,有助于为石墨烯的控制生长提供新的解决方案,进而推动石墨烯的工业化进程.