<正>化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)由于成本低、可控性好、可大规模量产等优点近年来被广泛应用与石墨烯的制备中。但是,对于采用CVD方法以固态铜箔作为金属催化剂制备的大面积连续均匀的单层石墨烯薄膜来说,石墨烯晶界较多,质量不高,极大地影响了石墨烯的进一步大规模应用。