阴离子对氮掺杂石墨烯修饰金属双氢氧化合物结构与赝电容性能的影响(英文)摘要
超级电容器因为具有充放电时间短的特点引起了人们的广泛关注.然而,由于电极表面的电荷积聚和化学反应,电容器的比电容及能量密度大大降低,限制了超级电容器的实际应用.本文提出了一种新颖的合成方法用以制备基于镍钴双氢氧化物的复合材料,该复合材料作为超级电容器的电极具有优异的电化学性能.利用氮掺杂石墨烯的缺陷,金属氢氧化物纳米结构在氮掺杂石墨烯表面生长,形成复合结构.通过调节并优化镍钴的元素比以及卤素离子、碳酸根离子的含量,能够改善材料的孔隙度、提高材料结构的稳定性以及促进电化学反应.金属氢氧化物的形成由钴离子的氧化反应引导,并通过定向生长方式形成一维结构.氮掺杂石墨烯有效保护镍钴双氢氧化物的纳米结构,使其在电化学测试中不被破坏,同时,氮掺杂石墨烯还能够提高电极的导电性,利于物质及离子传输.电化学测试表明,该复合材料在电流密度为1Ag-1时,比电容高达2925Fg-1,并且在高电流密度下(16Ag-1)展现出了优异的循环稳定性,在10,000次循环后比电容仍然保持在90%.在16Ag-1的电流密度下,材料的能量密度和功率密度分别达到了52Whkg-1和3191Wkg-1.该合成方法为制备基于金属氢氧化物、氧化物、硫化物等高性能超级电容器电极提供了新的途径.
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