以Si为基底,采用气相沉积法制备出石墨烯(G/Si)薄膜。将含1%APTES的苯溶液与G/Si密封,在115℃下加热2 h,G薄膜上自组装单层APTES膜(SAM-G/Si)。将SAM-G/Si浸渍于酸处理后的单壁碳纳米管氯仿液中,45℃干燥即得到单壁碳纳米管-石墨烯杂化材料(SWCNT-G/Si)。结果表明,具有p-型电学性能的G/Si经表面改性后呈现出n-型性能,电容性能得到提高。