牺牲模板法制高比电容的氮修饰石墨烯及其电化学性能研究摘要
采用牺牲模板法经高温热解制备了氮修饰的石墨烯。BET分析结果显示,氮修饰石墨烯具有大的比表面积和明显的介孔特征。Raman光谱分析揭示,热解制备的氮修饰石墨烯具有高的石墨化程度。电化学研究结果显示氮修饰石墨烯具有高的超级电容性能,在0.5A·g-1的电流密度下的比电容达到190F·g-1。经1 000圈充放电循环后,氮修饰石墨烯的比容量还能保持原来的88%。
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