双层石墨烯是能隙可调控的半导体材料,由于具有奇特的电学性质和光学性质,因此,此类材料有望在光电子工业引起新的革命。本文采用紧束缚模型方法 ,给出双层石墨烯动量表象的哈密顿矩阵,数值计算了能带结构,分析了双层石墨烯中三种层间跃迁对能带结构的影响。