<正>北京大学、香港理工大学、武汉大学和南方科技大学的研究人员合作,在大单晶石墨烯的生长方面取得了新的重要进展。研究人员利用化学气相沉积(CVD)方法在1000℃左右热解甲烷气体,把多晶铜衬底上石墨烯单晶的生长速度提高了150倍,达到60μm/s,为可控、高速生长出更大尺寸的石墨烯单晶提供了必要的依据,具有重要的科学意义和技术价值。该项技术的核心是把多晶铜片置于氧化物衬底上(两者之间