石墨烯-六方氮化硼面内异质结构因可调控石墨烯的能带结构而受到广泛关注.本文介绍了在超高真空体系内,利用两步生长法在两类对石墨烯分别有强和弱电子掺杂的基底,即Rh(111)和Ir(111)上制备石墨烯-六方氮化硼单原子层异质结构.通过扫描隧道显微镜及扫描隧道谱对这两种材料的形貌和电子结构进行研究发现:石墨烯和六方氮化硼倾向于拼接生长形成单层的异质结构,而非形成各自分立的畴区;在拼接边界处,石墨烯和六方氮化硼原子结构连续无缺陷;拼接边界多为锯齿形型,该实验结果与密度泛函理论计算结果相符合;拼接界面处的石墨烯和六方氮化硼分别具有各自本征的电子结构,六方氮化硼对石墨烯未产生电子掺杂效应.