氧化锡是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,有着优异的光电性能,高化学和机械稳定性。氧化石墨烯(GO,Graphite Oxide)具有成本低、能级结构可调、易于加工等优点,可作为光电转换材料应用于光伏器件中。本文以研究氧化锡/氧化石墨烯复合薄膜的光电性能为出发点,使用共沉积的方法在ITO上制备出不同的SnO_2/rGO复合薄膜,研究复合薄膜的光电转换性能。