<正>从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉,该所信息功能材料国家重点实验室研究员谢晓明领导的石墨烯研究团队在国家重大专项"晶圆级石墨烯材料和器件基础研究"等项目的支持下,在国际上首次实现石墨烯单核控制形核和快速生长,成功研制1.5英寸石墨烯单晶,相关研究成果在线发表于《自然—材料》。铜表面催化生长是目前制备石墨烯薄膜的主要技术途径,但由于无法实现单核控制,因而制备的薄膜一般为多晶,且生长速度随着时间的推移逐渐