采用改良的氧化还原法制备了石墨烯薄膜,并结合浸渍-提拉工艺在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上制得石墨烯薄膜,然后采用连续离子层沉积法(SILAR)在ITO导电玻璃上制备了石墨烯/硫化镉薄膜.采用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、电化学工作站对薄膜的微观结构、形貌特征、透光率、光电性能进行了表征和分析.结果表明:石墨烯/硫化镉薄膜作为工作电极,在光电催化制氢反应中测得的光电流密度为2.20,m A/cm~2,是单一硫化镉的光电流密度1.75,m A/cm~2的1.26倍;对表面形貌分析得出复合物比单一的硫化镉的分散性好;光谱分析复合物比单一的硫化镉的光吸收性能好,说明石墨烯有利于提高硫化镉的光电催化性能.