类石墨相氮化碳(g-C_3N_4)半导体材料因具有热稳定性好、价廉、能带结构易于调控和较高的太阳能转化率等特性而在光催化领域具有广泛的应用前景,其制备和性能的研究引起了国内外学者的广泛关注。本文介绍了C_3N_4的制备技术及其光催化应用领域,综述了g-C_3N_4光催化性能的增强改性研究进展,包括物理复合改性、化学掺杂和形貌调控等改性研究进展,对g-C_3N_4光催化的发展趋势进行了展望。