以化学气相沉积(CVD)的方法在铜衬底上制备了大尺寸的单晶石墨烯。研究了在3种不同降温方式下,石墨烯受氢气刻蚀程度的变化,以及在降温过程中通入甲烷后,对刻蚀的影响与改善,并对刻蚀机理进行了探讨。结果表明:经开盖降温的石墨烯受刻蚀最轻,随炉降温的样品受刻蚀次之,缓慢降温的样品受刻蚀最为严重。在降温过程中通入甲烷之后,3种样品的刻蚀都得到了进一步的改善,且开盖降温样品的结晶质量有大幅提升;随炉降温样品的结晶质量有小幅提升;缓慢降温样品的结晶质量有所下降。