上海微系统所石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究获进展摘要
<正>中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究取得新进展,研究员谢晓明领导的研究团队采用化学气相沉积(CVD)方法成功制备出单原子层高质量石墨烯/六方氮化硼平面异质结,并将其成功应用于WSe2/MoS 2二维光电探测器件。研究论文Synthesis of High-Quality Graphene and Hexagonal Boron Nitride Monolayer In-Plane Heterostructure on Cu-Ni Alloy于5月19日在Advanced Science上发表。
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