化学气相沉积法制备单层石墨烯的优化

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单位厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院;中国电信集团股份有限公司新疆分公司;
来源微纳电子技术
出版年2017
期号03
摘要
作为碳原子家族的最新成员,二维结构的石墨烯具备优异的物理化学性质和广阔的应用前景,成为新材料研究领域的热点研究对象。对化学气相沉积(CVD)法进行了优化,成功制备得到了高质量的单层石墨烯。优化后的实验工艺为:首先对铜箔进行化学抛光和退火预处理;然后将预处理后的铜箔加工成荷包状;氢气(H2)氛围下,以甲烷(CH4)为碳源,对石墨烯进行化学气相沉积;当甲烷和氢气体积流量分别为10 cm3/min和20 cm3/min时,在1 030℃条件下生长20 min制备得到最终样品。扫描电子显微镜(SEM)和激光喇曼光谱表征的结果显示:该方法制备的样品为大面积连续的单层石墨烯。

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