随着人们对掺杂MgB_2超导体的不断研究,掺杂元素对MgB_2的微观结构和性能的影响具有越来越重要的指导意义。目前对于石墨烯的掺杂研究很多,在此基础上,实验选用石墨烯作为掺杂对象,采用传统烧结法,利用高精度差热分析仪对石墨烯/Mg/B的混合粉末进行同步监控。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对石墨烯掺杂MgB_2的微观结构和性能进行表征,同时探究了掺杂石墨烯对MgB_2超导体临界电流密度的影响。结果表明,掺杂少量石墨烯的MgB_2样品在高磁场下Jc值有很大提高。与其它种类碳掺杂相比,其在高磁场下的临界电流密度有很大提高,起到了很好的磁通钉扎效果。