石墨烯由于其与众不同的结构和物理性质从而引起人们的高度关注.化学气相沉积(CVD)方法被认为是制备大面积石墨烯的最成功的方法.然而传统石墨烯方法通常只能在金属基底上生长石墨烯,因此只能通过转移到绝缘基底上才能用于石墨烯器件的制备.转移过程会对石墨烯造成褶皱和损伤,这些严重降低了石墨烯的电学特性.而高温CVD方法,在无金属催化剂的条件下,在蓝宝石基底上直接生长了石墨烯薄膜.将该蓝宝石为基底的石墨烯直接制成了ATP传感器,该传感器对ATP浓度在1mol/L~10-6 mol/L呈现出良好的线性响应.