石墨烯依附的衬底材料对石墨烯的电学性质有重要的影响.传统的无定型二氧化硅/掺杂硅衬底上的石墨烯器件表现出弱无序介观样品常有的特性——弱局域化,且加工过程中引入的掺杂易造成费米面远离狄拉克点.衬底本身携带一些随机分布的库伦势,会造成覆盖在其上的石墨烯中的电子运动过程发生散射,从而降低电子的迁移率.而氮化硼衬底上的石墨烯器件更容易达到狄拉克点,且更容易观察到电子的朗道量子化,即量子霍尔效应.