石墨烯场效应管(GFET)在栅极和源/漏电极之间存在的不对称的未被栅极覆盖的区域,会引起栅、源和栅、漏电极之间的串联电阻不相等,这将对GFET的性能会产生影响.首次测试了源漏不对称GFET在互换源、漏电极的情况下的输出特性、转移特性和跨导,并采用带源极负反馈电阻的共源极电路模型和石墨烯沟道总电阻计算公式,分析了源漏不对称对器件特性的影响机理.为研制GFET及其他的纳米结构材料晶体管提供了有益的参考.