基于隧穿场效应管(TFET)P-I-N结构,考虑在源区与沟道之间施加一段与源区掺杂性质相反的高掺杂区(PNIN-TFET),加大源区到沟道的转变,提高TFET的开态电流。通过NanoTCAD ViDES软件计算石墨烯PNIN-TFET的开态电流、亚阈值摆幅等物理参数,试验发现,采用PNIN结构并且利用有掺杂浓度梯度变化的漏区能提高TFET性能,经过优化,器件开态电流从4.15×10~(-7) A提高到2.32×10~(-6) A,泄漏电流从4.1×10~(-11) A降低到2.3×10~(-17) A,亚阈值摆幅从49.23mV/dec降低到26.15mV/dec。