对比分析了过硫酸铵(APS)与三氯化铁(FeCl_3)两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响。结果表明,采用FeCl_3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质。将两种转移到Si O_2/Si基底上的石墨烯样品蒸镀100 nm厚的金的源漏电极后分别制成了石墨烯场效应晶体管(GFET),并在室温下对其进行了电学性能测试。测试结果表明,相对于FeCl_3腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成的器件,采用APS腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成器件的狄拉克点从75 V左右降低到了0 V左右,载流子迁移率从823 cm~2/(V·s)提升到了1 324 cm~2/(V·s)。因此,采用APS腐蚀溶液转移石墨烯引入杂质更少,制备的器件性能更优越。