石墨相氮化碳(g-C_3N_4)作为一种新型的非金属有机半导体材料在光催化领域受到了人们的广泛关注。为进一步改善它的光电化学性能,本文利用种子生长法和一锅法相结合制备了Au纳米棒/g-C_3N_4复合材料。结果表明,金纳米棒降低了载流子的复合率,使复合材料表现出了较好的光电化学性能。该材料光电流密度可达到17.18μA/cm~2(相对于可逆氢电极),是纯的石墨相氮化碳材料的2.5倍。