采用第一性原理计算方法,研究了单层掺P石墨烯(P-SLG)能带结构及光学性质。结果表明,P-SLG能带带隙打开,由金属性质转变为半导体性质。P-SLG光吸收谱在2.57×10~4cm~(-1)、8.23×10~4cm~(-1)和1.15×10~5cm~(-1)处主要有3个峰值,在1.145 12×10~5cm~(-1)处达到最大值。反射谱与吸收谱峰值相对应,在1.15×10~5cm~(-1)处达到最大值,当频率大于1.5×10~5cm~(-1)时,反射率不再发生变化。P-SLG电导率实部在8.23×10~4cm~(-1)处达到最大值,峰值为1.5;虚部在1.15×10~5cm~(-1)处达到最大值,峰值为1.25;当频率大于1.5×10~5cm~(-1)实部和虚部无明显变化。