在许多恶劣的工作环境中,器件难免会曝露在电子束辐照下.对于单原子层厚度的二维材料而言,电子束辐照经常会造成其本征性能的衰减.如何避开这一影响对于多功能化的二维异质结器件来讲至关重要.然而,电子束辐照对于二维异质结的影响至今仍缺乏充分深入的研究.本工作发现利用异质结的堆垛可以阻碍单层二硫化钼(MoS_2)由于电子束辐照带来的性能衰退.通过在MoS_2与基底之间插入单层石墨烯,在同样剂量的电子束辐照轰击下,异质结区域的光致发光强度始终大于纯单层MoS_2;而且与纯单层区域明显的发光能量变化相比,MoS_2/石墨烯异质结区域的发光能量具有更佳的稳定性.这一现象归因于石墨烯的阻隔效应:由于单层石墨烯的存在抑制了基板对MoS_2的影响.此外,我们也系统地揭示了电子束辐照对MoS_2/石墨烯异质结拉曼光谱及电学传输特性的影响.本工作不仅有助于加深人们对二维异质结辐照效应的认知,同时也为新型抗辐射器件的设计开辟了新的途径.