采用第一性原理方法研究了不同金属原子(Co和Ni)掺杂的双空位缺陷石墨烯(M-DG)体系对吸附O_2和CO气体分子稳定性的调控作用。掺杂的金属原子向石墨烯衬底提供电荷而显示正电性,能够引起体系电子结构和局部电荷分布变化。相比Ni-DG体系,单个CO和O_2分子在Co-DG表面具有更高的稳定性,且使得体系的电子结构和磁性发生变化。本工作为设计碳基气体传感器件提供重要参考。