GaN基HEMT作为微波大功率领域不可或缺的半导体器件,相比硅基器件在多方面具有更佳的性能,在军用和民用领域应用十分广泛,但大功率GaN基HEMT器件普遍存在热管理问题,过高的温度会对器件的性能造成严重影响,降低其可靠性和使用寿命,因此GaN基HEMT器件的散热问题具有重要的研究意义。本文介绍了GaN基HEMT器件的封装结构,提出将石墨烯应用于GaN基HEMT的芯片表面,通过软件模拟仿真对比石墨烯应用在芯片不同位置以及应用前后的器件温度分布情况,得出石墨烯可以改善GaN基HEMT器件散热性能,且应用于芯片正面效果最佳的结论。