硅上的石墨烯-AlGaN纳米锥阵列

查看详情 浏览次数:1
来源半导体信息
出版年2019
期号01
摘要
<正>挪威和德国的研究人员在硅上使用石墨烯掩模生长出了氮化铝镓(AlGaN)纳米锥阵列。发表于[A.Mazid Munshi et al,Appl.Phys.Lett.,vol113,p263102,2018]挪威CrayoNano AS公司、德国马克斯-普朗克学会光学所、德国亥姆霍兹柏林能源与材料中心、挪威科技大学(NTNU)和挪威科技工业研究院(SINTEF)的研究团队看到了该材料在紫外(UV)发光二极管,光电探测器和激光器的潜在应用价值。他们希望这种材料能够克服由晶格和热膨胀不匹配引起的缺陷的平面III族氮化物结构的问题。石墨烯可以实现准范德华外延,避免悬挂化学键引起的问题。

@ 2023 版权所有 中国地质图书馆 (中国地质调查局地学文献中心)

京ICP备 05064591号 京公网安备11010802017129号

建议浏览器: 火狐、谷歌、微软 Edge、不支持 IE