本文利用电化学制备了三元复合薄膜P(ANI/Py)/RGO/SiO_2,找到了一种电化学制备三元复合薄膜的方法。同时对比一元薄膜P(ANI/Py)、二元P(ANI/Py)/SiO_2薄膜研究其抗腐蚀性能,发现在量0.025 mo1/L苯胺0.075 mo1/L吡咯得到的三元复合薄膜有较好的防腐蚀性能。测试腐蚀电位为-0.535 V,腐蚀电流1.828×10~(-9) A·cm~(-2)。