基于第一性原理计算,对硼-磷单层材料的电子结构和光学性质进行系统地理论研究.全局结构搜索和第一性原理分子动力学模拟现实二维硼-磷单层材料能量最低的结构与石墨烯类似,具有很高的稳定性.类石墨烯二维硼-磷单层是直接带隙半导体,带隙宽度1.37 eV,其带隙宽度随层数增加而减少.硼-磷单层的带隙宽度受外界应力影响.硼-磷单层的载流子迁移率达到10~6 cm~2/V.MoS_2/BP二维异质结可用于光电器件,其理论光电转换效率为17.7%~19.7%.表明类石墨烯硼-磷二维材料在纳米电子器件与光电子器件的潜在应用价值.