通过化学气相沉积法在多晶铜衬底上制备单层石墨烯,利用拉曼光谱和扫描隧道显微镜对石墨烯样品和多晶铜衬底的晶体结构和表面形貌进行表征,发现热退火过程可以使铜形成大面积的单晶畴区,从而形成一维石墨烯超晶格结构,利用扫描隧道谱技术研究了一维条纹对石墨烯电子结构的调制作用.结果表明,一维条纹的形成是由于石墨烯与铜晶格失配以及转角所致,并且对石墨烯的能带结构以及电子性质产生一定的调制作用,此外实验观察到由于一维超晶格的调制作用导致杂质原子团簇在石墨烯表面的吸附具有选择性.本实验不仅提供了一种简单有效的方法可以在石墨烯中引入一维周期势,而且指明了一种将引入周期势与化学改性相结合从而实现石墨烯性质调控的新途径.