通过对现有石墨提纯技术梳理,提出物化提纯法的概念、反应机理及提纯流程,提出物化提纯法的3个重要技术指标,即工艺气体选择、工艺炉压选择和工艺温度选择,根据提纯流程对第3代半导体SiC用高纯石墨制品进行试验,通过试验证明,使用物化提纯法对第3代半导体碳化硅用石墨制品进行提纯,其纯度可以稳定在99.9995%~99.9999%,并且可以定向去除第3代半导体碳化硅用高纯石墨制品中B和Al元素,完全可以满足第3代半导体碳化硅用高纯石墨制品的纯度要求。