介绍了一种利用飞秒激光技术制备的石墨烯异质结薄膜晶体管(GHTFT)。基于还原氧化石墨烯制备石墨烯的原理,该晶体管利用飞秒激光直接在硅基底上制备石墨烯,最终获得了3.05×102的电流开关比。相较于以前报道的石墨烯晶体管,该值提升了102。同时还研究了不同还原程度的氧化石墨烯对GHTFT电流开关比的影响,结果表明氧化石墨烯的还原程度越高,GHTFT的电流开关比越大,这说明飞秒激光能够有效调节GHTFT的电学性能。除此之外,鉴于当前石墨烯制备的困难,提出的方法能够有效避免转移过程和化学过程,同时飞秒激光的高效率提高了石墨烯晶体管的制备效率。