在不同温度下对铜箔进行氢气退火处理,利用化学气相沉积(CVD)法在退火后铜箔表面生长石墨烯。通过拉曼(Raman)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)对制备的复合材料进行微观组织分析,并使用超低阻双电四探针测试仪对复合材料进行电学性能测试。结果表明,1 045℃、200 sccm氢气条件下对多晶铜箔退火3.5 h,可以得到大尺寸(111)单晶铜箔,从而能够在铜基体表面沉积高质量单层石墨烯,复合材料电导率高达96.32%IACS。