目的 通过在氧化石墨烯表面沉积二氧化硅过渡层,实现碳纳米管在其表面的可控生长。方法 在氧化石墨烯(GO)的分散液中,滴入四乙氧基硅烷(TEOS),通过调节分散液的pH,使得TEOS水解,并在氧化石墨烯表面沉积二氧化硅层(SiO_2),获得二氧化硅包覆的氧化石墨烯(GO@SiO_2);然后,采用浮动催化剂化学气相沉积(CVD)方法,在GO@SiO_2表面生长碳纳米管,通过调节沉积时间,获得二氧化硅包覆的氧化石墨烯–碳纳米管杂化材料(GO@SiO_2-CNTs);将未沉积二氧化硅层的氧化石墨烯在同样条件下通过CVD得到氧化石墨烯–碳纳米管杂化材料(GO-CNTs);结合SEM、STEM、EDS分析,对比有无二氧化硅层的氧化石墨烯基底对生长碳纳米管的影响。结果 在GO表面直接生长的CNTs不能实现全面均匀的包覆,相比之下,在SiO_2包覆的GO表面生长的碳纳米管阵列均匀且致密,呈现典型的“刷”状结构,通过调节反应时间,可以控制碳纳米管的生长密度和长度。结论 二氧化硅层可以有效地促进碳纳米管在氧化石墨烯基底的生长,实现碳纳米管形貌的可控调节。