采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了g-ZnO/石墨烯异质结的几何结构、稳定性、电子结构和光学性质。结果表明,g-ZnO/石墨烯异质结的晶格失配率为0.4%,层间距为0.339 nm,结合能为-1 347 eV,形成的是范德瓦尔斯异质结。进一步研究g-ZnO/石墨烯异质结的能带结构发现g-Zn O的能带曲线几乎没有变化,石墨烯的零带隙结构被打开,产生0.064 eV的直接带隙。此外,g-Zn O/石墨烯异质结在低能区有高的吸收系数和光电导率,是制造光伏器件和光探测器的优异材料。