制作了一种近红外通讯波段的石墨烯/锗肖特基结光电探测器。采用化学气相沉积法制备高质量石墨烯,通过湿法转移法转移到n型锗表面,获得高性能石墨烯/锗的肖特基结器件。仿真与实验结果表明,石墨烯透明电极与锗衬底形成良好的肖特基接触,大大提升了器件的光生载流子收集效率。该器件在无光照条件下,整流比为5.3×10~2,在光强为0.3 mW/cm~2的1 550 nm近红外光的照射下,开关比为10~2,响应度和探测率分别可达635.7 mA/W、9.8×10~(10 )Jones。同时,器件具备较快的响应速度,在3 dB带宽处上升和下降时间分别为40μs和35μs。研究结果展示了高性能石墨烯/锗光电探测器在近红外光电系统中具有潜在的应用前景。