γ射线辐照柔性基底石墨烯霍尔传感器的总剂量效应

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单位中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;中国科学院大学微电子学院;
来源现代应用物理
出版年2022
期号03
摘要
开展了~(60)Coγ射线辐照柔性基底石墨烯霍尔传感器的总剂量效应实验研究,测量并分析了在γ射线辐照至1 Mrad前后柔性基底石墨烯霍尔传感器的电学性能。γ射线辐照后,传感器的霍尔电压、线性度、失调电压和电流相关灵敏度均略有降低,电流相关灵敏度下降了约8%。主要原因是辐照后传感器中引入了少量的杂质和缺陷,导致器件的均一性和对称性略有变化。分析了电离辐射与柔性基底石墨烯的霍尔传感器的相互作用,可为该种类传感器在空间或其他辐射敏感环境中的应用提供数据基础。

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